勾引 初中生 聊聊套刻精度≤8nm的国产光刻机, 究竟怎么回事

近日勾引 初中生，在工业和信息化部发布的贵寓中，人人看到两台国产氟化氩光刻机。

其中一台写着晶圆直径300mm，波长248nm，分别率≤110nm，套刻精度是≤25nm。

而另一台写着晶圆直径300mm，波长193nm，分别率≤65nm，套刻精度≤8nm。

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如上图所示，由于第二台写着套刻精度≤8nm，于是许多网友就认为，通过多重曝光之后，这台光刻机，能分娩8nm或以下的芯片，因为套刻精度，决定的即是芯片工艺。

一时之间，越传越神，什么国产8nm光刻机就来了，搞得一些东谈主十分欢叫，因为国内苦光刻机已久，而ASML的EUV不卖给咱们，DUV也适度了一些浸润式，要是咱们有我方的8nm光刻机，情况将会完满不相同。

那么这台光刻机，究竟和8nm有没联系系勾引 初中生，是什么关系？

人人先要搞明晰，套刻精度是个什么样的方针。

在将芯片图案曝光到晶圆前，必须晶圆进行精确量测，而测量需要时分，曝光也需要时分，是以勾引 初中生ASML自后推出了双使命台系统。

这两个使命台，一次放两块晶圆，一个平台上的晶圆正在曝光时，另一个晶圆被装到二号平台进行瞄准和测量，两个使命台治安使命，这么来检朴时分。

既然是双使命台，那么两个使命台相互瞄准之间的精度，就叫作念Overlay——套刻精度。

同期套刻精度还有三种，比如ASML的NXT 1980Di，有三个套刻精度，OPO≤3.5nm，DCO≤1.6nm，MMO≤2.5nm。

OPO指产物自己的套刻精度，指的是前次曝光和当今的对都精度。DCO归拢台确立我方套我方的精度，MMO不同确立之间的套刻精度。

OPO还是DCO，还是MMO，这几个参数共同决定了你能不行用多曝工艺，以及量产之后的曝光图形的一致性，和上基层最终的瞄准精度。

套刻精度，代表的其实多重曝光之间的轻视值，轻视越小，良率越高，就不错多曝光几次，轻视越大，良率越低，就大都多重曝光。

按照ASML的界说，给人人看一个图，是ASML一些典型光刻机的制程、分别率、套刻精度等的参数方针图。

人人不错看到，在ASML的XT1250这种制造90nm芯片的光刻机上，MMO套刻精度即是6nm，分别率是小于70nm的。

从这张图也可在判断出，国产的这台氟化氩光刻机，其实和8nm莫得一毛钱的关系。上头写着分别率是小于等于65nm，光源是193nm，咱们仔细对标一下，最多对观点是ASML的XT1470，可能还不一定行，而这台光刻机最多只可制造65nm的芯片。

是以，人人别欢叫了，别将套刻精度，和芯片工艺对应起来，这两者完满不是一趟事。